highkmetalgate製程

...製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k/metalgate實用化的 ...,...製程當中，克服了能量的消耗以及元件的運作效率的問題，其中包括了SOI元件以及high-k...

參考資訊如下
28奈米製程

... 製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...

32奈米以下IC半導體性能提昇的重要推手

2007年12月24日 — 而其中已導入的high-k/metal gate材料製程，可以控制金屬氧化物半導體場效電晶體(MOS FET)之閘極(gate)電壓，克服了阻礙high-k /metal gate實用化的 ...

High

... 製程當中，克服了能量的消耗以及元件的運作效率的問題，其中包括了SOI元件以及high-k/metal gate製程技術。當元件微縮至深次微米尺度時，RTN(或著稱作RTS)可探討元件的 ...

Low k、High k到底在幹嘛？ - ryanwu

2008年6月20日 — 現在，閘極與基極間本來就有絕緣層，但其絕緣度愈來愈不足，所以也必須進行換用，換用絕緣性更高的，所以就有了High k/Metal Gate技術的誕生。 事實上在 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — Why PolySi to HKMG. High-K Metal Gate; 隨元件/製程微縮，接近導體的PolySilicon (N+/P+ Poly-Si)問題越明顯。因為本質是半導體，在小尺寸下，閘極 ...

淺談先進電晶體：新一輪晶片製程中，誰勝出？有何發展趨勢？

2022年1月21日 — 目前最先進的5 奈米製程，即是採用FinFET 架構來製作。 ... high-k／metal gate），介電層的k 值愈大，氧化 ... 製程，與現今業界之FinFET 製程具有良好的相容 ...

簡化的閘極優先高介電常數金屬閘極製造流程

... metal gates. US7863123B2 * 2009-01-19 2011-01-04 International Business Machines Corporation Direct contact between high-κ/metal gate and wiring process flow.

金氧半元件金屬閘極和高介電係數介電層之製程整合研究

由 張新君 著作 · 2006 — 金氧半元件金屬閘極和高介電係數介電層之製程整合研究. Integration of Metal Gate and High-k Gate Dielectric for Advanced MOS Devices. 張新君(Hsin-Chun Chang).

高介電係數閘極介層技術

製程整合(Gate Structure and Process. Integration)、其他相關製程 ... Damascene metal gate structure and process ... Low-K spacer/high-K gate dielectric supress ...

高介電常數金屬閘極（High

2019年8月5日 — 高介電常數金屬閘極（High-k Metal Gate, HKMG）和鰭式場效電晶體（FinFET）的結構與成份分析 · 市售IC 的橫截面TEM 影像 · (a) 40 nm 平面式HKMG · (b) 電 ...